JCS18N25R Overview
沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JCS18N25C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson-max@Vgs=10V） Qg-typ 18A 250V 230mΩ 17.48nC 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS 产品特性 低栅极电荷 低 Crss (典型值 12.2pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS.
JCS18N25R Key Features
- Low gate charge -Low Crss (typical 12.2pF ) -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS prod
- pulse （note 1） 最高栅源电压 Gate-Source Voltage 单脉冲雪崩能量（注 2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）
- Derate above 25℃
- 55～+150
- Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 nA
- 100 nA
- 160 230 mΩ
- 703.4 1150 pF
- 178.8 285 pF