JCS2N95RA Overview
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS2N95A 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 2.0 A VDSS 950 V Rdson（Vgs=10V） -Max 4.5Ω Qg-Typ 14.5nC 封装 Package 用途 高频开关电源. 电子镇流器 LED 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power supplies 产品特性 低栅极电荷 低 Crss（典型值 3.5pF） 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS.
JCS2N95RA Key Features
- Low gate charge -Low Crss (typical 3.5pF ) -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS produ
- pulse （note 1） 最高栅源电压
- 漏极电流由最高结温限制 -Drain current limited by maximum junction temperature
- VDS=760V, TC=125℃
- 100 μA
- 100 nA
- 100 nA
- 3.8 4.5 Ω