JCS4N95A Description
N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET R JCS4N95A 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 950 V Rdson（Vgs=10V） 4.5Ω -Max Qg-Typ 14.5nC 封装 Package 用途 高频开关电源. 电子镇流器 LED 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power supplies 产品特性 低栅极电荷 低 Crss（典型值 3.5pF） 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS 产品 平面 MOS.
JCS4N95A Key Features
- Low gate charge -Low Crss (typical 3.5pF ) -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS produ
- Derate above
- 55～+150
- 漏极电流由最高结温限制 -Drain current limited by maximum junction temperature
- 1.2 to 25℃
- 100 μA
- 100 nA
- 100 nA
- 3.8 4.5 Ω