Datasheet Summary
N 沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
主要参数MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID VDSS Rdson-max （Vgs=10V） Qg-Typ
6A 700V
1.70Ω 21.1nC
用途
- 高频开关电源
- 电子镇流器
- LED 电源
APPLICATIONS
- High efficiency switch mode power supplies
- Electronic lamp ballasts based on half bridge
- LED power supplies
产品特性
- 低栅极电荷
- 低 Crss (典型值 4.0pF)
- 开关速度快
- 产品全部经过雪崩测试
- 高抗 dv/dt 能力
- RoHS 产品
Features
- Low gate charge
- Low Crss (typical 4.0pF )
- Fast switching
- 100% avalanche tested
- Improved dv/dt capability
- RoHS product
订货信息 ORDER...