JCS6AN70E Description
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS6AN70E 主要参数MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson-max （Vgs=10V） Qg-Typ 6A 700V 1.70Ω 21.1nC 用途 高频开关电源 电子镇流器 LED 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power supplies 产品特性 低栅极电荷 低 Crss (典型值 4.0pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS.
JCS6AN70E Key Features
- Low gate charge -Low Crss (typical 4.0pF ) -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS produ
- pulse （note 1） 最高栅源电压 Gate-Source Voltage 单脉冲雪崩能量（注 2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） 雪崩电流（注 1） Avalanche Curren
- 55～+150
- 漏极电流由最高结温限制 -Drain current limited by maximum junction temperature
- 1.0 μA
- 100 μA
- 100 nA
- 100 nA
- 1.38 1.7 Ω