JCS6N70F Description
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS6N70C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson-max （@Vgs=10V） Qg-typ 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 6.0 A 700 V 1.6 Ω 31 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS 产品特性 低栅极电荷 低 Crss (典型值 14pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS.
JCS6N70F Key Features
- Low gate charge -Low Crss (typical 14pF ) -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS produc
- 漏极电流由最高结温限制
- Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 μA
- 100 nA
- 100 nA
- 1.26 1.6 Ω
- 1620 1890 pF
- 125 170 pF
- 14 20 pF