JT010N065SED Overview
N 沟绝缘栅双极晶体管 N-CHANNEL IGBT R JT010N065SED/CED/FED/WED 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IC BVCES VCESAT-typ （VGE=15V） 10 A 650V 1.5V 用途 逆变器 UPS 电源 APPLICATIONS General purpose inverters UPS 产品特性 低栅极电荷 Trench FS 技术, 通态压降： VCE(sat), typ = 1.5V,IC =10A and TC = 25°C RoHS.
JT010N065SED Key Features
- Low gate charge -Trench FS Technology
- saturation voltage：
- pulse （note 1）
- 20(TC=25°C )
- 55～+150
- 55～+175
- 连续集电极电流由最高结温限制。-Collector current limited by maximum Junction temperature. 注 1：脉冲宽度由最高结温限制。Note1：The pulse width is limi
- Coefficient
- TC=25°C
- 反向栅极体漏电流