JT020N135WED Overview
N 沟绝缘栅双极晶体管 N-CHANNEL IGBT R JT020N135WED 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC VCES VCESAT-TYP（VGE=15V） 20 A 1350V 1.7V 封装 Package 用途 IH 感应加热 逆变式微波炉 软交换应用 APPLICATIONS Induction heating(IH) Inverterized microwave ovens Soft switching applications 产品特性 低栅极电荷 Trench FS 技术, 通态压降: VCE(sat), typ = 1.7V IC = 20A and Tc = 25°C RoHS.
JT020N135WED Key Features
- Low gate charge -Trench FS Technology
- Saturation voltage
- pulse （note 1） 二极管正向电流 Diode forward current 二极管正向脉冲电流 Diode pulse current 最高栅极发射极电压 Gate-Emmiter Voltage 安全工作区 Turn-off
- 40～+175
- 55～+150
- 100 uA 2.5 mA 100 nA -100 nA
- 1.7 2.1 V
- 版本：202004A