JT030N065SED Overview
N 沟绝缘栅双极晶体管 N-CHANNEL IGBT R JT030N065WED/FED/SED 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IC VCES VCESAT-TYP 30 A 650V 1.75V 用途 逆变器 UPS 电源 电机控制 APPLICATIONS General purpose inverters UPS Motor Control 产品特性 低栅极电荷 Trench FS 技术 RoHS.
JT030N065SED Key Features
- Low gate charge -Trench FS Technology
- RoHS product
- pulse（note 1） 二极管正向测试电流 Diode RMS forward current TC=25°C TC=100°C 二极管正向脉冲电流 Diode pulse current 最高栅极发射极电压
- 数 值 Value
- 55～+150
- 55～+175
- 连续集电极电流由最高结温限制
- Collector current limited by maximum junction temperature
- 200 nA
- 200 nA