JT100K120F2MA1E Description
IGBT 模块 IGBT Modules R JT100K120F2MA1E IGBT 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC VCES Vcesat_typ （Vge=15V） 100 A 1200 V 1.9V 用途 UPS 电源 电焊机 APPLICATIONS UPS System Welding 封装 Package 外形示意图 产品特性 FS 技术 低通态压降, VCE(sat), typ =1.9V,IC = 100A and TC= 25°C VCEsat 正温度系数.
JT100K120F2MA1E Key Features
- FS Technology -Low saturation voltage
- pulse （note 1） 最高栅极发射极电压 Gate-Emmiter Voltage
- 40~+150
- 200 nA
- 200 nA
- 1.9 2.5
- 动态特性 Dynamic Characteristics
- mJ TC=25℃
- 2.2 2.6 V