JT600N120F2MH1E Overview
N 沟绝缘栅双极晶体管 N-CHANNEL IGBT R JT600N120F2MH1E IGBT 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IC VCES Vcesat_typ （@Vge=15V） 600 A 1200 V 1.95V 用途 电机驱动 伺服驱动 UPS 电源 风力发电 APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System Wind Turbines 产品特性 低栅极电荷 FS 技术 低通态压降, VCE(sat),.
JT600N120F2MH1E Key Features
- Low gate charge -FS Technology
- Low saturation voltage
- pulse （note 1） 最高栅极发射极电压 Gate-Emmiter Voltage 短路时间 short circuit time
- 40~+150
- 漏极电流由最高结温限制
- Collector current limited by maximum junction temperature
- 200 nA
- 200 nA 5.3
- 1.95 2.4
- 短路电流（注 2）