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JT600N120F2MH1E Datasheet N-channel IGBT

Manufacturer: JILIN SINO

Overview: N 沟绝缘栅双极晶体管 N-CHANNEL IGBT R JT600N120F2MH1E IGBT 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IC VCES Vcesat_typ （@Vge=15V） 600 A 1200 V 1.95V 用途  电机驱动  伺服驱动  UPS 电源  风力发电 APPLICATIONS  Motor Drives  Servo Drives  UPS System  Wind Turbines 产品特性  低栅极电荷 FS 技术 低通态压降, VCE(sat), typ = 1.

Key Features

  • Low gate charge.
  • FS Technology.
  • Low saturation voltage: VCE(sat), typ = 1.95V @ IC = 600A and TC = 25°C.
  • RoHS product 印记定义 mark definition 商标 产品型号 芯片代码+封测代码 年周代码 编号 年周代码说明：Y(年代码，执行内部定义)+WW（周代码） 产品型号说明：产品类别+电流+开关速度+电压+电路拓扑+封装形式+工艺版本。 订货信息 ORDER.

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Part Number Description

JT600N120F2MH1E Distributor