MC08N005 Description
MC08N005 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS R(-d@sVogns=-1t0yVp） Qg-typ 120A 80V 4.5mΩ 74.5nC 用途 电信与工业领域隔离 DC/DC 转换 同 步 整 流 领 域 DC/DC 与 AC/DC 转换 APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Tele and Industrial Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters 产品特性 低栅极电荷 低 Rdson 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS.
MC08N005 Key Features
- Low gate charge -Low Rdson -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS product
- 漏极电流由最高结温限制
- Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 nA
- 100 nA
- 4.5 5.5 mΩ