MC10N005 Description
MC10N005 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS R(-@dVsgosn=-1t0yVp） Qg-typ 150A 100V 3.6mΩ 105nC 用途 ⚫ 电信与工业领域隔离 DC/DC 转换 ⚫ 同 步 整 流 领 域 DC/DC 与 AC/DC 转换 APPLICATIONS ⚫ Isolated DC/DC Converters in Tele and Industrial ⚫ Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters 产品特性 ⚫ 低栅极电荷 ⚫低 Rdson ⚫ 开关速度快 ⚫ 产品全部经过雪崩测试 ⚫高抗 dv/dt 能力 ⚫RoHS.
MC10N005 Key Features
- Low gate charge -Low Rdson -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS product
- pulse （note 1） 最高栅源电压
- Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 nA
- 100 nA
- 3.6 4.5 mΩ