MP4N150 Description
N沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET R MP4N150 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID VDSS Rdson-max （@Vgs=10V）） Qg-typ 4A 1500 V 7.5Ω 30.87nC 封装 Package 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS 产品特性.
MP4N150 Key Features
- Low gate charge
- 低 Crss (典型值 18pF) -Low Crss (typical 18pF )
- Fast switching
- 产品全部经过雪崩测试 -100% avalanche tested
- 高抗 dv/dt 能力
- Improved dv/dt capability
- RoHS 产品
- RoHS product
- 55～+150
- 漏极电流由最高结温限制 -Drain current limited by maximum junction temperature