MP4N50FR Description
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET MP4N50FR 主要参数MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson-max （Vgs=10V） Qg-Typ 4A 500V 2.8Ω 7.4nC 用途 高频开关电源 变频家电 LED 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Variable frequency household appliance LED power supplies 产品特性 低栅极电荷 低 Crss(2.5pF typ) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 RoHS.
MP4N50FR Key Features
- Low gate charge -Low Crss(2.5pF typ) -Fast switching -100% avalanche tested -RoHS product
- pulse（note 1）
- 漏极电流由最高结温限制 -Drain current limited by maximum junction temperature
- VDS=0V, VGS =30V
- 100 μA
- 100 nA
- 100 nA
- 2.4 2.8 Ω
- 4.1 4.9 Ω
- 5.3 6.4 Ω