MP6N120 Description
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET MP6N120 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 6A VDSS 1200 V Rdson（Vgs=10V） -MAX 2.55Ω Qg-Typ 38.22 nC 封装 Package 用途 高频开关电源. 电子镇流器 UPS APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS 产品特性.
MP6N120 Key Features
- 平面 MOS
- Planar MOS
- Low gate charge
- 低 Crss（典型值 7.0pF） -Low Crss (typical 7.0pF )
- Fast switching
- 产品全部经过雪崩测试 -100% avalanche tested
- 高抗 dv/dt 能力
- Improved dv/dt capability
- RoHS 产品
- RoHS product