MT03N03FAL Overview
MT03N03FAL N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS R(-d@sVogns=-1m0aVx） Qg-typ 用途 高功率 DC/DC 转换与 功率开关 直流电机控制 不间断电源 170A 30V 2.4mΩ 49.3nC APPLICATIONS High power DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Uninterruptible power supply 产品特性 低栅极电荷 低 Rdson 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS.
MT03N03FAL Key Features
- Low gate charge -Low Rdson -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS product
- 漏极电流由最高结温限制
- Drain current limited by maximum junction temperature
- 55～+150
- 150 μA
- 100 nA
- 100 nA
- 3.2 mΩ
- 1.9 2.4 mΩ