MT28N20A Description
MT28N20A N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS R(-d@sVogns=-1m0aVx） Qg-typ 28A 200V 85mΩ 52nC 用途 电信与工业领域隔离 DC/DC 转换 同步整流领域 汽车应用 不间断电源 APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Tele and Industrial Synchronous Rectification Automotive UPS 产品特性 低栅极电荷 低 Rdson 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS.
MT28N20A Key Features
- Low gate charge -Low Rdson -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS product
- 漏极电流由最高结温限制
- Drain current limited by maximum junction temperature
- 55～+150
- 200 μA
- 100 nA
- 100 nA
- 60 85 mΩ