TT050K065FQ Overview
N 沟绝缘栅双极晶体管 N-CHANNEL IGBT R TT050K065FQ 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC VCES Vcesat-typ 50A 650V 1.55V 封装 Package 用途 PFC 储能 APPLICATIONS Power factor corrector (PFC) Energy Storage 产品特性 低栅极电荷 Trench FS 技术, RoHS 产品 快开关速度 低开关损耗 VCE(sat)正温度系数.
TT050K065FQ Key Features
- Low gate charge -Trench FS Technology, -RoHS product -Fast switching speed -Low switching losses -VCE(sat) with positive
- 连续集电极电流
- pulse（note 1）
- 二极管正向测试电流
- VCE≤650V，Tvj≤175℃，tp=1us
- 40～+175
- 55～+150
- 连续集电极电流由最高结温限制
- Collector current limited by maximum junction temperature.,and Tc=25°C limited by bondwire
- 200 nA