TT050U065FBC Overview
N 沟绝缘栅双极晶体管 N-CHANNEL IGBT R TT050U065FBC 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC VCES Vcesat-typ 50A 650V 1.4V 封装 Package 用途 充电桩 UPS 电源 光伏 储能 APPLICATIONS Charging pile UPS Solar converters Energy Storage Built in SiC SBD 产品特性 低栅极电荷 Trench FS 技术 RoHS 产品 快开关速度 低开关损耗 VCE(sat)正温度系数 内置 SIC 肖特基二极管.
TT050U065FBC Key Features
- Low gate charge -Trench FS Technology -RoHS product -Fast switching speed -Low switching losses -VCE(sat) with positive
- 订货信息 ORDER MESSAGE
- 连续集电极电流
- pulse（note 1）
- 二极管正向测试电流
- VCE≤650V，Tvj≤175℃，tp=1us
- 40～+175
- 55～+150
- 连续集电极电流由最高结温限制
- Collector current limited by maximum junction temperature,and Tc=25°C limited by bondwire