Datasheet Summary
肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR10200
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
10（2×5）A
200 V 175 ℃ 0.75V （@Tj=125℃）
用途 z 高频开关电源 z 低压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS z High frequency switch power supply z Free wheeling diodes, polarity protection applications
TO-22OC
产品特性 z共阴结构 z低功耗，高效率 z良好的高温特性 z有过压保护环，高可靠性 z环保（RoHS）产品
Features zmon cathode structure zLow power loss, high efficiency zHigh Operating Junction
Temperature zGuard ring for overvoltage protection，High reliability zRoHS product
TO-22OHF
TO-22OF
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
印记
封装
Order codes
Marking
Package
HBR10200C
HBR10200 TO-220C
HBR10200CR
HBR10200 TO-220C
HBR10200F
HBR10200...
