CM2N60C Datasheet | Jingdao Electronic

深圳市晶导电子有限公司 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. TEL：0755-29799516 FAX：0755-29799515 Http://.jdsemi.cn 主要用途： - 主要用途： 主要特点： - 主要特点： - 通态电阻小 - 开关速度快 - 100% N 沟道 VDMOS - 主要用于电源适配器、线性放大和功率开关电路 , 输入电容小 雪崩能量测试 注意： - 注意： - 防静电 G. 栅极 D. 漏极 S. 源极 极限值： 极限值：( Tc=25 ℃ ) 参 连续漏极电流 栅源电压 雪崩电流 热阻（结到壳） 耗散功率 结温 贮存温度 数 名 称 符 号 ID VGS IAR RθJC Ptot Tjm Tstg 额定值 2.0 ±30 2.2 2.5 48 150 － 55 ～ 150 单 位 A V A ℃ /W W ℃...