CM1N60C Datasheet | Jingdao

深圳市晶导电子有限公司 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. TEL：0755-29799516 FAX：0755-29799515 Http://.jdsemi.cn CM1N60C N 沟道 VDMOS - 主要用途 ： - 主要用于电源适配器、线性放大和功率开关电路 - 主要特点： - 通态电阻小 , 输入电容小 - 开关速度快 - 100% 雪崩能量测试 - 注意： - 防静电 极限值：( Tc=25 ℃ ) 参 数 名称 连续漏极电流 栅源电压 雪崩电流 热阻（结到壳） 耗散功率 结温 贮存温度 符号 ID VGS I AR RθJC Ptot Tjm Tstg G. 栅极 D. 漏极 S. 源极 额定值 1.0 ±30 1.0 2.5 28 150 － 55 ～ 150 单位 A V A ℃ /W W ℃ ℃ 电特性： ( Tc=25 ℃ ) 参数名称 符号 漏源反向电压 通态电阻 阈值电压 跨导 漏源漏电流 栅源漏电流 VDS R DSON VGS（TH） g FS IDSS IGSS 关断延迟时间 td (off) 输入电容 C i SS a：脉冲测试 ：t P ≤ 300us, δ ≤ 2% 测试条件 VGS=0V，ID=250u A VGS=10V，ID=0.5A VDS=VGS，ID=250u A VDS=50V，ID=0.5A VDS=600V，VGS=0V VGS= ± 30V VDD=250V，ID=1.0A RG=2.15Ω ， RD=178Ω VGS=0V，VDS=25V f=1.0MHZ 最小值 典型值 最大值 单位 Ω 25 u A ±100 n A 20 n...