LZG 2SA953
SILICON PNP TRANSISTOR
FEATURES
: High total power dissipation, high hFE and high VCEO. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit VCBO -60 V VCEO -60 V VEBO -5.0 V IC -300 mA IB -60 mA PC 600 mW Tj 150 ℃ Tstg -55~150 ℃ 电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃) 参数符号 Symbol 测试条件 Test condition ICBO IEBO hFE(1) hFE(2) VCE(sat) VBE(sat) VBE fT Cob VCB=-60V VEB=-5.0V VCE=-1.0V VCE=-1.0V IC=-300mA IC=-300mA VCE=-6.0V VCE=-6.0V VCB=-6.0V IE=0 IE=0 IC=0 IC=-50mA IC=-300mA IB=-30mA IB=-30mA IC=-10mA IC=-10mA f=1.0MHz 最小值 Min 90 30 50 数值 Rating 典型值 Typ -0.15 -0.85 -0.66 100 13 最大值 Max -0.1 -0.1 400 -0.60 -1.20 -0.70 25 单位 Unit μA μA V V V MHz pF h 分档/FE(1) hF