LZG 2SB940
SILICON PNP TRANSISTOR
FEATURES
: High VCEO, large PC. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit VCBO -200 V VCEO -150 V VEBO -6.0 V IC -2.0 A ICP -3.0 A PC(Ta=25℃) 2.0 W PC(Tc=25℃) 30 W Tj 150 ℃ Tstg -55~150 ℃ 电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃) 参数符号 Symbol VCBO VCEO VEBO ICBO IEBO hFE(1) hFE(2) VCE(sat) VBE 测试条件 Test condition IC=-500μA IC=-5.0mA IE=-500μA VCB=-200V VEB=-4.0V VCE=-10V VCE=-10V IC=-500mA VCE=-10mA IE=0 IB=0 IC=0 IE=0 IC=0 IC=-150mA IC=-400mA IB=-50mA IC=-400mA 最小值 Min -200 -150 -6.0 60 50 数值 Rating 典型值 Typ 最大值 Max -50 -50 240 -1.0 -1.0 hFE(1)分档/ hFE(1) Classifications: Q:60~140 P:100~240 单位 Unit V V V