LZG 3CD910
SILICON PNP TRANSISTOR
| Part No. | 3CD910 |
|---|---|
| Datasheet | 3CD910 Download |
| Manufacturer |  LZG |
| Description | SILICON PNP TRANSISTOR |
| Buy | Stock & Price |
FEATURES
: Low saturation voltage, excellent hFE linearity and high hFE. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit VCBO -30 V VCEO -30 V VEBO -5.0 V IC -3.0 A PC 1.25 W PC(TC=25℃) 10 W Tj 150 ℃ Tstg -55～150 ℃ 电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃) 参数符号 Symbol ICBO IEBO h* FE V* CE(sat) V* BE(sat) fT 测试条件 Test condition VCB=-30V VEB=-5.0V VCE=-3.0V IC=-1.5A IC=-1.5A VCE=-5.0V IE=0 IC=0 IC=-0.5A IB=-0.15A IB=-0.15A IC=-0.5A f=1.0MHz 最小值 Min 100 5.0 数值 Rating 典型值 Typ 最大值 Max -10 -10 400 -1.0 -2.0 单位 Unit μA μA V V MHz *脉冲测试：脉宽≤300μS，占空比≤2.0%。 *pulse test: pulse width≤300μS,duty cycle≤2.