3DD313
2SD313(3DD313)
用途:用于低频功率放大。
硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
Purpose: Low frequency power amplifier applications. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
数值
Rating
单位
Unit
VCBO VCEO VEBO IC ICP PC(Ta=25℃) PC(TC=25℃) Tj Tstg
60 60 5.0 3.0 8.0 1.75 30 150 -55～150
V V V A A W W ℃ ℃
电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃) 数值 参数符号
Symbol
测试条件
Test Condition
Rating
单位 最大值
Max Unit
最小值
Min
典型值
Typ
ICBO ICEO IEBO h FE(1) h FE(2) VCE(sat) VBE f T Cob
VCB=20V VCE=60V VEB=4.0V VCE=2.0V VCE=2.0V IC=2.0A VCE=2.0V VCE=5.0V VCB=10V
IE=0 RBE=∞ IC=0 IC=1.0A IC=0.1A IB=0.2A IC=1.0A IC=0.5A f=1.0MHz C:40～80
40 40 0.4 8.0 65 D:60～120 E:100～200
0.1 5.0 1.0 320 1.0 1.5 m A m A m A
V V MHz p F h FE 分档/h FE Classifications:
F:160～320 http://.lzg.so
Free Datasheet http://../
2SD313(3DD313) http://.lzg.so
Free Datasheet...
