MJE13003F6 Datasheet PDF

MJE13003F6(3DD13003F6) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路。 Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications，converters, inverters, switching regulators, etc. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit VCBO 600 V VCEO 400 V VEBO 9.0 V IC 0.5 A PC(Ta=25℃) 1.25 W PC(TC=25℃) 20 W Tj 150 ℃ Tstg -55～150 ℃ 电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃) 参数符号 Symbol 测试条件 Test condition VCBO VCEO VEBO ICBO ICEO IEBO hFE VCE(sat) VBE(sat) fT tf tS IC=1mA IC=10mA IE=1mA VCB=600V VCE=400V VEB=9.0V VCE=5.0V IC=200mA IC=200mA VCE=10V IC=50mA VCE=5V (UI9600) IE=0 IB=0 IC=0 IE=0 IB=0 IC=0 IC=200mA IB=40mA IB=40mA f=1.0MHz IC=100mA 最小值 Min 600 400 9.0 10 5.0 数值 Rating 典型值 Typ 最大值 Max 0.1 0.1 0.1 40 0.5 1.2 0.6 4.0 单位 Unit V V V mA mA mA V V MHz μs μs 佛山市蓝箭电子有限公司 FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD. MJE13003F6(3DD13003F6) SOA(DC) hFE-Ic Vces-IC tS-Ta PC-TC hFE-Ic Vbes-IC hFE-Ta 佛山市蓝箭电子有限公司 FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD.