2N5019 Datasheet | Micross

Features   DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX 2N5019  ZERO OFFSET VOLTAGE  LOW ON RESISTANCE  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS   @ 25°C (unless otherwise noted)  r DS(on) ≤ 150Ω  Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐55°C to +200°C  - Low Insertion Loss Operating Junction Temperature  ‐55°C to +200°C  - No offset or error voltage generated by closed Maximum Power Dissipation  switch Continuous Power Dissipation   500m W  - Purely resistive MAXIMUM CURRENT 2N5019 Applications: Gate Current (Note 1)  IG = ‐50m A  - Analog Switches MAXIMUM VOLTAGES  - mutators Gate to Drain Voltage  VGDS = 30V  - Choppers Gate to Source Voltage  VGSS = 30V      2N5019 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  BVGSS  Gate to Source Breakdown Voltage  30  ‐‐  ‐‐    IG = 1µA,   VDS = 0V  V  VGS(off)  Gate to Source Cutoff Voltage  ‐‐  ‐‐  5  VDS = ‐15V, ID = ‐1µA  VDS(on)  Drain to Source On Voltage  ‐‐  ‐‐  ‐0.5  VGS = 0V, ID = ‐3m A  IDSS  Drain to Source Saturation Current (Note 2)  ‐5  ‐‐  ‐‐  m A  VDS = ‐20V, VGS = 0V  IGSS  Gate Reverse Current  ‐‐  ‐‐  2  n A  VGS = 15V,  VDS = 0V  ID(off)  Drain Cutoff Current  ‐‐  ‐‐  ‐10  VDS = ‐15V, VGS = 12V  ‐‐  ‐‐  ‐10  µA  VDS = ‐15V, VGS = 7V  IDGO  Drain Reverse Current  ‐‐  ‐‐  ‐2  n A  VDG = ‐15V, IS = 0A  r DS(on)  Drain to Source On Resistance  ‐‐  ‐‐  150  Ω  ID = ‐1m A,   VGS = 0V  2N5019 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)  SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  r DS(on)  Drain to Source On Resistance  ‐‐  ‐‐  150  Ω  ID = 0A,   VGS = 0V,   f = 1k Hz  Ciss  Input Capacitance  ‐‐  ‐‐  45  p F  VDS = ‐15V, VGS = 0V, f = 1MHz  Crss  Reverse Transfer Capacitance  ‐‐  ‐‐  10  VDS = 0V, VGS = 7V, f = 1MHz  2N5019 SWITCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)  SYMBOL  CHARACTERISTIC    UNITS  CONDITIONS  2N5019 Benefits: .. Click To Buy Turn On Time  Turn On Rise Time  Turn Off Time  Turn Off Fall Time  15  75 ...