3N191 Datasheet | Micross

3N191 P-CHANNEL MOSFET The 3N191 is a monolithic dual enhancement mode P-Channel Mosfet Features   DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL 3N191  LOW GATE LEAKAGE CURRENT  IGSS ≤ ± 10p A  LOW TRANSFER CAPACITANCE  Crss ≤ 1.0p F  The hermetically sealed TO-78 package is well suited ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1@ 25°C (unless otherwise noted)  for high reliability and harsh environment applications. Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐65°C to +150°C  (See Packaging Information). Operating Junction Temperature  ‐55°C to +135°C  Maximum Power Dissipation  Continuous Power Dissipation (one side)  300m W  3N191 Features : Continuous Power Dissipation (one side) 525m W  MAXIMUM CURRENT - Very high Input Impedance Drain to Source2  50m A  - High Gate Breakdown Voltage MAXIMUM VOLTAGES  - Low Capacitance Drain to Gate or Drain to Source2  ‐30V  Transient Gate to Source2,3 ±125V  Gate‐Gate Voltage  ±80V  3N191 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  BVDSS  Drain to Source Breakdown Voltage  ‐40  ‐‐  ‐‐    ID = ‐10µA    BVSDS  Source to Drain Breakdown Voltage  ‐40  ‐‐  ‐‐  IS = ‐10µA,   VBD = 0V  V  VGS  Gate to Source Voltage  ‐3.0  ‐‐  ‐6.5  VDS = ‐15V,   ID = ‐500µA  VGS(th)  Gate to Source Threshold Voltage  ‐2.0  ‐‐  ‐5.0  VDS = ‐15V,   ID = ‐500µA  ‐2.0  ‐‐  ‐5.0  VDS =  VGS ,   ID = ‐10µA  IGSSR  Gate Reverse Leakage Current  ‐‐  ‐‐  10    VGS = 40V    IGSSF  Forward Gate Leakage Current  ‐‐  ‐‐  ‐10  VGS = ‐40V  p A  IDSS  Drain to Source Leakage Current  ‐‐  ‐‐  ‐200  VDS = ‐15V  ISDS  Source to Drain Leakage Current  ‐‐  ‐‐  ‐400  VSD = ‐15V  VDB = 0  ID(on)  Drain Current “On”  ‐5.0  ‐‐  ‐30  m A  VDS = ‐15V,  VGS = ‐10V  r DS(on)  Drain to Source “On” Resistance  ‐‐  ‐‐  300  Ω  VDS = ‐20V,   ID = ‐100µA  gfs  Forward Transconductance4  1500  ‐‐  4000  µS  VDS = ‐15V,    ID = ‐5m A ,   f = 1k Hz  The 3N191 is a dual enhancement mode P-Channel Mosfet and is ideal for space constrained applications and...