LS4416 Datasheet | Micross

Features   DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX 2N4416  EXCEPTIONAL GAIN (400 MHz)  VERY LOW NOISE FIGURE (400 MHz)  VERY LOW DISTORTION  HIGH AC/DC SWITCH OFF‐ISOLATION  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS   @ 25°C (unless otherwise noted)  Maximum Temperatures  Storage Temperature  Operating Junction Temperature  Maximum Power Dissipation  Continuous Power Dissipation   MAXIMUM CURRENT Gate Current (Note 1)  MAXIMUM VOLTAGES  Gate to Drain or Gate to Source      10d B (min)  4d B (max)  LS4416 Benefits: - - - - - Wideband High Gain Very High System Sensitivity High Quality of Amplification High-Speed Switching Capability High Low-Level Signal Amplification .. ‐65°C to +200°C  ‐55°C to +135°C  300m W  10m A  ‐30V      LS4416 Applications: - - - - High-Frequency Amplifier / Mixer Oscillator Sample-and-Hold Very Low Capacitance Switches   LS4416 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  BVGSS  Gate to Source Breakdown Voltage  ‐30  ‐‐  ‐‐  V  VGS(off)  Gate to Source Cutoff Voltage  ‐‐  ‐‐  ‐6  V  IDSS  Gate to Source Saturation Current  5  ‐‐  15  m A  IGSS  Gate Leakage Current  ‐‐  ‐‐  ‐1.0  n A  gfs  Forward Transconductance  4500  ‐‐  7500  µS  gos  Output Conductance  ‐‐  ‐‐  50  µS  Ciss  Input Capacitance2  ‐‐  ‐‐  0.8  p F  Crss  Reverse Transfer Capacitance2  ‐‐  ‐‐  4  p F  Coss  Output Capacitance2  ‐‐  ‐‐  2  p F  en  Equivalent Input Noise Voltage  ‐‐  6  ‐‐  n V/√Hz   LS4416 HIGH FREQUENCY ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)  SYMBOL  CHARACTERISTIC  100 Mhz  400 Mhz  UNITS  MIN  MAX  MIN  MAX  g Iss  b Iss  goss  boss  Gfs  Gps  NF  NOTES  Input Conductance  Input Susceptance2  Output Conductance  Output  Susceptance   Forward Transconductance  Power Gain   Noise Figure   2 2 2 Click To Buy CONDITIONS  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  18  ‐‐  100  2500  75  1000  ‐‐  ‐‐  2  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  4000  10  ‐‐  1000  10000  100  4000  ‐‐  ‐‐  4  d B      µS  1 . Absolute maximum ratings are limiting values abo...