SST309 Datasheet | Micross

Features   DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX SST309  OUTSTANDING HIGH FREQUENCY GAIN   LOW HIGH FREQUENCY NOISE  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C1   Gpg = 11.5d B  NF = 2.7d B  Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐55°C to +150°C  - High Power Low Noise gain Operating Junction Temperature  ‐55°C to +135°C  - Dynamic Range greater than 100d B Maximum Power Dissipation  - Easily matched to 75Ω input Continuous Power Dissipation   350m W  SST309 Applications: MAXIMUM CURRENT Gate Current  10m A  - UHV / VHF Amplifiers MAXIMUM VOLTAGES  - Mixers Gate to Drain Voltage or  Gate to Source Voltage   ‐25V  - Oscillators         SST309 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNIT  CONDITIONS  BVGSS  Gate to Source Breakdown Voltage  ‐25  ‐‐  ‐‐  V  VDS = 0V, IG = ‐1µA  VGS(F)  Gate to Source Forward Voltage  0.7  ‐‐  1  VDS = 0V, IG = 10m A  VGS(off)  Gate to Source Cutoff Voltage  ‐1  ‐‐  ‐4  VDS = 10V,  ID = 1n A  IDSS  Drain to Source Saturation Current2  12  ‐‐  30  m A  VDS = 10V, VGS = 0V  IG  Gate Operating Current (Note 3)  ‐‐  ‐15  ‐‐  p A  VDG = 9V,  ID = 10m A  r DS(on)  Drain to Source On Resistance  ‐‐  35  ‐‐  Ω  VGS = 0V,  ID = 1m A                SST309 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)  SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNIT  CONDITIONS  gfs  Forward Transconductance  10  14  ‐‐  m S  VDS = 10V,   ID = 10m A , f = 1k Hz  gos  Output Conductance  ‐‐  110  250  µS  Ciss  Input Capacitance  ‐‐  4  5  p F  VDS = 10V,   VGS = ‐10V , f = 1MHz   Crss  Reverse Transfer Capacitance  ‐‐  1.9  2.5  en  Equivalent Noise Voltage  6  ‐‐  ‐‐  n V/√Hz  VDS = 10V,    ID = 10m A ,  f = 100Hz                SST309 HIGH FREQUENCY CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)  SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP  MAX  UNIT  CONDITIONS  SST309 Benefits: Click To Buy Noise Figure  Power Gain3  Forward Transconductance  Output Conductance  f = 105MHz  f = 450MHz  f = 105MHz  f = 450MHz  f = 105MHz ...