BUD44D2 Datasheet | Motorola Semiconductor

features : - Low Base Drive Requirement - High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ IC = 100 m A - Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the H2BIP Structure which Minimizes the Spread - Integrated Collector- Emitter Free Wheeling Diode - Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCE(sat) - “6 Sigma” Process Providing Tight and Reproductible Parameter Spreads It’s characteristics make it also suitable for PFC application. POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 700 VOLTS 25 WATTS CASE 369- 07 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ MAXIMUM RATINGS Rating Symbol VCEO VCBO VCES Value 400 700 700 12 2 5 1 2 Unit Vdc Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector- Emitter Sustaining Voltage Collector- Base Breakdown Voltage Collector- Emitter Breakdown Voltage Emitter- Base Voltage VEBO IC ICM IB IBM PD Collector Current - Continuous - Peak (1) Base Current - Continuous Base Current - Peak (1) - Total Device Dissipation @ TC = 25_C - Derate above 25°C Operating and Storage Temperature 25 0.2 Watt W/_C TJ, Tstg - 65 to 150 CASE 369A- 13 MINIMUM PAD SIZES REMENDED FOR SURFACE MOUNTED APPLICATIONS 6.7 0.265 _C THERMAL CHARACTERISTICS Thermal Resistance - Junction to Case - Junction to Ambient _C/W 1.6 0.063 2.3 2.3 0.090 0.090 1.6 0.063 RθJC RθJA TL 5 71.4 260 Maximum Lead...