2N6059 Datasheet Text
..
MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by 2N6052/D
Darlington plementary Silicon Power Transistors
. . . designed for general- purpose amplifier and low frequency switching applications.
- High DC Current Gain
- hFE = 3500 (Typ) @ IC = 5.0 Adc
- Collector- Emitter Sustaining Voltage
- @ 100 mA VCEO(sus) = 80 Vdc (Min)
- 2N6058 VCEO(sus) = 100 Vdc (Min)
- 2N6052, 2N6059
- Monolithic Construction with Built- In Base- Emitter Shunt Resistors MAXIMUM RATINGS (1)
Rating
2N6052
- NPN
PNP
2N6058 2N6059
- - Motorola Preferred Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Symbol VCEO VCB VEB IC IB 2N6058 80 80 2N6052 2N6059 100 100 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector- Emitter Voltage Collector- Base Voltage Emitter- Base voltage 5.0 12 20 Collector Current
- Continuous Peak Base Current 0.2 Total Device Dissipation @TC = 25_ C Derate above 25_ C PD 150 Watts W/_ C
_C
DARLINGTON 12 AMPERE PLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 80
- 100 VOLTS 150 WATTS
0.857
Operating and Storage Junction Temperature Range
TJ, Tstg
- 65 to + 200_ C
CASE 1- 07 TO- 204AA (TO- 3)
THERMAL CHARACTERISTICS...
