2N6388
..
MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by 2N6387/D
Plastic Medium-Power Silicon Transistors
. . . designed for general- purpose amplifier and low- speed switching applications.
- High DC Current Gain
- h FE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
- Collector- Emitter Sustaining Voltage
- @ 100 m Adc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min)
- 2N6387 VCEO(sus) = 80 Vdc (Min)
- 2N6388
- Low Collector- Emitter Saturation Voltage
- VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc
- 2N6387, 2N6388
- Monolithic Construction with Built- In Base- Emitter Shunt Resistors
- TO- 220AB pact Package
- MAXIMUM RATINGS
Rating
2N6387 2N6388
- - Motorola Preferred Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ...
