PDMB600BS12 Description
－ － ２.３ － 37,800 ０.２５ ０.４０ ０.２５ ０.８０ Ｍａｘ. ２.６ ０.３ Ｕｎｉｔ Ａ ＤＣ １ｍｓ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＦ= 600A,ＶＧＥ= 0V ＩＦ= 600A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 1200A/μs Ｕｎｉｔ Ｖ μｓ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case Ｍｉｎ. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 Fig.4- Collector to Emitter On Voltage vs.