PRHMB200B12 Overview
－ － １.９ － 16,600 ０.２５ ０.４０ ０.２５ ０.８０ Ｍａｘ. ２.４ ０.３ Ｕｎｉｔ Ａ ＤＣ １ｍｓ Ｕｎｉｔ Ｖ μｓ ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case Ｍｉｎ. Ｕｎｉｔ ０.１２５ ℃／Ｗ ０.２４ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode 日本インター株式会社 Datasheet pdf - http://..net/ .DataSheet.co.kr ＰＲＨＭＢ２００Ｂ１２ Fig.1- Output Characteristics (Typical) 400 Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs.