PRHMB300E6 Overview
- - 2.1 - 15,000 0.15 0.30 0.10 0.40 Max. 2.4 0.25 Unit A DC 1ms Unit V μs □ 熱 的 特 性 : THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic 熱 抵 抗 IGBT Thermal Impedance Diode Symbol Rth(j-c) Test Condition Junction to Case (Tc測定点チップ直下) Min. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 14.