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ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｓｉｎｇｌｅ
□ ： ＣＩＲＣＵＩＴ
(E) 4
(G) 3
(E) 2
(C) 1
８００ Ａ，１２００Ｖ
QS043-401M0056 (2/4)
ＰＨＭＢ８００Ｂ１２
□ ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
110 93 ± 0.25
4
4 - Ø6.5 2 -M8
1 2
20 20 62 ±0.2 5
80
3
2 -M4 13 21
29
+1.036 - 0.5
+1.025.5 - 0.5
7 23
LABEL
Dimension:［mm］
□ ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ＶＣＥＳ
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
ＶＧＥＳ
Ｃollector
Ｃollector
Ｃurrent
Ｐower Ｄissipation
ＤＣ １ｍｓ
ＩＣ ＩＣＰ
ＰＣ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ １，２００
±２０ ８００ １，６００ ３，４００
Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
Ｔｊ
－４０～＋１５０
℃
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
Ｔｓｔｇ
－４０～＋１２５
℃
(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
Ｍounting Ｔorque
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ
Ｍ４ Ｍ８
２,５００
３（３０.６） １.４（１４.３） １０.
phmb800b12 Datasheet
