SFH483E7800 Overview
2007-12-07 GaAlAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 483 E7800.
SFH483E7800 Key Features
- Fabricated in a liquid phase epitaxy process
- Anode is electrically connected to the case
- High reliability
- Matches all Si-Photodetectors
- Same package as BPX 63, BP 103, LD 242, SFH
- DIN humidity caregory in acc. with DIN 40 040
- Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
- Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
- Hohe Zuverlässigkeit
- Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger