Part SFH483E7800
Description GaAlAs Infrared Emitter
Manufacturer ams OSRAM
Size 155.22 KB
ams OSRAM
SFH483E7800

Overview

  • Fabricated in a liquid phase epitaxy process
  • Anode is electrically connected to the case
  • High reliability
  • Matches all Si-Photodetectors
  • Same package as BPX 63, BP 103, LD 242, SFH 464
  • DIN humidity caregory in acc. with DIN 40 040 GQG Besondere Merkmale:
  • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
  • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden
  • Hohe Zuverlässigkeit
  • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger