Datasheet4U Logo Datasheet4U.com

F1047B - Infrared Emitting Diode Chip

This page provides the datasheet information for the F1047B, a member of the F1047A Infrared Emitting Diode Chip family.

Datasheet Summary

Description

Infrarot emittierender Chip, Oberseite Kathodenanschluss Infrared emitting die, top side cathode connection Infrarot emittierender Chip, Oberseite Kathodenanschluss, Oberfläche aufgerauht.

Features

  • Typ. total radiant power: 22 mW @ 100 mA in TOPLED® package.
  • Chipsize: 300 x 300 µm².
  • Very highly efficient GaAlAs LED.
  • High reliability.
  • High pulse handling capability.
  • Good spectral match to silicon photodetectors.
  • Frontside metallization: aluminum Backside metallization: gold alloy.
  • Delivery: diced on foil.

📥 Download Datasheet

Datasheet preview – F1047B

Datasheet Details

Part number F1047B
Manufacturer Osram Opto Semiconductors
File Size 99.61 KB
Description Infrared Emitting Diode Chip
Datasheet download datasheet F1047B Datasheet
Additional preview pages of the F1047B datasheet.

📁 Similar Datasheet

  • F1040 - RF POWER VDMOS TRANSISTOR (Polyfet RF Devices)
  • F1000LC120 - Extra Fast Recovery Diode (IXYS)
  • F1001 - RF POWER VDMOS TRANSISTOR (Polyfet RF Devices)
  • F100122 - 9-BIT BUFFER (National Semiconductor)
  • F100124 - Hex TTL-to-ECL Translator (National Semiconductor)
  • F100125 - Hex ECL-to-TTL Translator (National Semiconductor)
  • F100136 - 4-Stage Counter / Shift Register (National Semiconductor)
  • F100164 - 16 Input Multiplexer (Fairchild Semiconductor)
  • F100164 - 16 Input Multiplexer (National Semiconductor)
  • F100180 - HIGH-SPEED 6-BIT ADDER (National Semiconductor)
Other Datasheets by Osram Opto Semiconductors
  • F1047A - Infrared Emitting Diode Chip

Full PDF Text Transcription

Click to expand full text
www.DataSheet4U.com GaAlAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitting Diode (880 nm) F 1047A F 1047B Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im TOPLED® Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2 • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Vorderseitenmetallisierung: Aluminium Rückseitenmetallisierung: Goldlegierung • Lieferung: vereinzelt auf Folie Anwendungen • IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunkund Videogeräten, Lichtdimmern • Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb • Lichtschranken bis 500 kHz • Sensorik • Diskrete Optokoppler I Features • Typ. total radiant power: 22 mW @ 100 mA in TOPLED® package.
Published: |