PPM6N20V10
Description
The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance.
PPM6N20V10 P-Channel MOSFET
VDS(V) -20
MOSFET Product Summary
RDS(on)(mΩ)
ID(A)
15@ VGS=-4.5V
-10
Internal structure
（D）1 （D）2 （G）3
6（D） 5（D） 4（S）
Bottom View
（D） （D） （G）
（D） （D） （S）
Absolute maximum rating@25℃
Rating
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
Continuous Pulsed
TA=25℃ TA=70℃
TA=25℃ Total Power Dissipation
TA=125℃
Operating and Storage Junction Temperature Range
Symbol
VDS VGS ID ID PD PD TJ,TSTG
Value
-20 ±12 -10 -40 2.4 0.9 -55 to +150
Units
V V A A W W ℃
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Ambient Thermal Resistance, Junction to Ambient Thermal Resistance, Junction to Case
(Note 1a) (Note 1b)
Symbol
RθJA RθJA...
