SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES H557
NPN SILICON TRANSISTOR
| Part No. | H557 |
|---|---|
| Datasheet | H557 Download |
| Manufacturer |  SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES |
| Description | NPN SILICON TRANSISTOR |
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APPLICATIONS
SWITCHING AND AMPLIFIER ¨€ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
£¨ Ta=25¡æ£© TO-92 T stg ¡ ª ¡ ªStorage Temperature¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-55~150¡æ T j ¡ª¡ªJunction Temperature¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡150¡æ PC¡ª¡ªCollector Dissipation¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡500mW VCBO ¡ª¡ª Collector-Base Voltage¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-50V VCEO¡ ª ¡ ªCollector-Emitter Voltage¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-45V VE B O ¡ ª ¡ ªEmitter-Base Voltage¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-5V IC¡ ª ¡ ªCollector Current¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-100mA 1¨D Collector£¬ C 2¨D Base£¬ B 3¨D Emitter£¬ E ¨€ELECTRICAL CHARACTERISTICS
£¨ Ta=25¡æ£© Characteristics Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector Cut-off Current Min - 50 - 45 -5 - 15 Typ Max Unit V V V nA Test Conditions Symbol BVCBO BVCEO BVEBO ICBO HFE VCE(sat1) VCE(sat2) VBE(sat1) VBE(sat2) VBE(ON1) VBE(ON2) IC=-100¦Ì A, IE=0 IC=-10mA, IB=0 IE=-100¦Ì A£¬ IC=0 VCB=-30V, IE=0 VCE=-5V, IC=-2mA DC Current Gain Collector- Em...