20NE60 Overview
SVF20NE60PN 说明书 20A、600V N沟道增强型场效应管 描述 SVF20NE60PN 是 N 沟 道 增 强 型 高 压 功 率 MOS 场 效 应 晶 体 管，采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制 造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导 通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点.
Datasheet Details
| Part number | 20NE60 |
|---|---|
| Datasheet | 20NE60-SILANMICROELECTRONICS.pdf |
| File Size | 479.11 KB |
| Manufacturer | SILAN MICROELECTRONICS |
| Description | 600V N-CHANNEL MOSFET |
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