ELM7785-10F Key Features
- High Output Power ： P1dB=40.5dBm(typ.) -High Gain ： G1dB=8.5dB(typ.) -High P.A.E. ： ηadd=37%(typ.) -Broad Band ： 7.7
- 8.5GHｚ -Impedance Matched Zin/Zout = 50Ω -Hermetically Sealed Package DESCRIPTION The ELM7785-10F is a power GaAs FET th