Shantou Huashan Electronic Devices HC114E
NPN Digital Transistor
| Part No. | HC114E |
|---|---|
| Datasheet | HC114E Download |
| Manufacturer |  Shantou Huashan Electronic Devices |
| Description | NPN Digital Transistor |
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APPLICATIONS
Switching Circuit£¬ Interface Circuit. ¨€ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
£¨ Ta=25¡æ£© TO-92S T stg ¡ ª ¡ ªStorage Temperature¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-55~150¡æ T j ¡ª¡ªJunction Temperature¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡150¡æ PC¡ª¡ªCollector Dissipation¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡300mW VCBO ¡ ª ¡ ªCollector-Base Voltage¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡50V VCEO ¡ª¡ª Collector-Emitter Voltage¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡50V VE B O ¡ ª ¡ ªEmitter -Base Voltage¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡10V IC¡ ª ¡ ªCollector Current¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-100mA ¨€ 1¨D Emitter£¬ E 2¨D Collector£¬ C 3¨D Base£¬ BELECTRICAL CHARACTERISTICS
£¨ Ta=25¡æ£© Characteristics Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Collector Cut-off Current Collector Cut-off Current Min 50 50 0. 1 Typ Max Unit V V ¦Ì A Test Conditions Symbol BVCBO BVCEO ICBO ICEO IEBO HFE VCE(sat) IC=10¦Ì A, IC=0.1mA, IE=0 I B=0 VCB=40V, IE=0 0.5 195 30 0.1 0.8 1.0 7.0 0.8 ¦Ì A VCE=40V, IB=0 ¦Ì A VEB=5V, IC=0 VCE=5V, IC=5mA V V V Kohm Emitter Cut-of...