Datasheet Summary
GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays
LD 260 LD 262 ... LD 269
7.4 7.0
1.9 1.7
0.5 0.4 2.54 mm spacing
2.7 2.5
0.25 0.15
2.1 1.5 0.4 A
GEO06367
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Gehäusegleich mit BPX 80-Serie
Features q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q Same package as BPX 80 series Applications q q q q
Anwendungen q Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb q Lochstreifenleser q Industrieelektronik q...