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BPX38 - NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

Datasheet Summary

Description

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t

Features

  • q Especially suitable for.

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Datasheet preview – BPX38

Datasheet Details

Part number BPX38
Manufacturer Siemens Semiconductor Group
File Size 315.00 KB
Description NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
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BPX 38 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 38 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1120 nm q Hohe Linearität q Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C1) q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Features q Especially suitable for applications from 450 nm to 1120 nm q High linearity q Hermetically sealed metal package (TO-18) with base connection, suitable up to 125 °C1) q Available in groups Applications q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits Typ Type BPX 38 BPX 3
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