BPX43 Datasheet | Siemens Semiconductor Group

BPX 43 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 43 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Features q Especially suitable for applications from Bereich von 450 nm bis 1100 nm q Hohe Linearität q Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und 450 nm to 1100 nm q High linearity q Hermetically sealed metal package (TO-18) with base connection suitable up to 125 °C q Available in groups Applications q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Typ Type BPX43 BPX 43-2 BPX 43-3 BPX 43-4 BPX 43-5 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P16 Q62702-P16-S2 Q62702-P16-S3 Q62702-P16-S4 Q 62702-P16-S5 Semiconductor Group 10.95 fmof6019 BPX 43 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current Emitter-Basisspannung Emitter-base voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value - 55 ... + 125 260 Einheit Unit °C °C Top; Tstg TS °C VCE IC ICS VEB Ptot Rth JA 50 50 200 7 220 450 V m A m A V m W K/W Semiconductor Group BPX 43 Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit...