BPX48 Datasheet | Siemens Semiconductor Group

BPX 48 BPX 48 F Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (BPX 48) und bei 920 nm (BPX 48 F) q Hohe Fotoempfindlichkeit q DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte q Doppeldiode mit extrem hoher Gleichmäβigkeit q q q q q Features q Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm (BPX 48) and of 920 nm (BPX 48 F) q High photosensitivity q DIL plastic package with high packing density q Double diode with extremely high homogeneousness Application q Follow-up control q Edge control q Path and angle scanning q Industrial electronics q For control and drive circuits Anwendungen Nachlaufsteuerung Kantenführungen Weg- bzw. Winkelabtastungen Industrieelektronik “Messen/Steuern/Regeln” Semiconductor Group 10.95 feof6638 feo06638 BPX 48 BPX 48 F Typ Type BPX 48 BPW 48 F Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Bestellnummer Ordering Code Q62702-P17-S1 Q62702-P305 Symbol Symbol Wert Value - 40 ... + 80 230 Einheit Unit °C °C Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Top; Tstg TS VR Ptot 10 50 V m W Kennwerte (TA = 25 °C) für jede Einzeldiode Characteristics (TA = 25 °C) per single diode system Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K, VR = 5 V, λ = 950 nm, Ee = 0.5 m W/cm2 Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive...