BPX61 Datasheet | Siemens Semiconductor Group

BPX 61 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm q Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) q Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich TO-5) Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Features q Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm q Short switching time (typ. 20 ns) q Hermetically sealed metal package (similar to TO-5) Application q q q q Wechsellichtbetrieb q IR-Fernsteuerungen q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Photointerrupters IR-remote controls Industrial electronics For control and drive circuits Typ Type BPX 61 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P25 Semiconductor Group 10.95 fmo06011 BPX 61 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Symbol Symbol Wert Value - 40 ... + 125 230 Einheit Unit °C °C Top; Tstg TS VR Ptot 32 250 V m W Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Symbol Symbol Wert Value 70 (≥ 50) 850 400 ... 1100 Einheit Unit n A/Ix nm nm λS max λ S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, VR = 10 V...